四方ZrO_2弹性常数、电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了四方ZrO2的弹性常数、电子结构和光学性质.计算得到的晶格常数和弹性常数均与实验值相符;计算结果表明四方ZrO2的晶体结构是稳定的,四方ZrO2属于间接带隙氧化物,禁带宽度为4.06 eV.经带隙校正后,计算得到四方ZrO2在(100)和(001)方向上的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、复折射率、反射光谱、吸收光谱、损失函数和光电导谱;计算得到其静态介电常数在(100)和(001)方向上分别为4.83和4.30;折射率分别为2.20和2.07;计算结果表明了四方ZrO2在(100)和(001)方向上具有光学各向异性,这为四方ZrO2的应用提供了理论依据.     

Banach空间有正规结构的充分条件和不动点性质

设X是Banach空间,该文用广义James常数J（t,X）估计弱收敛序列常数WCS（X）,证明了：f（t,X）〈1＋t/（R（1,X）时,X有正规结构和X满足（DL）－条件．这个结论推广了Eva M．Maxcunan—NaVarro和B．Gavira的结果．     

紫外线吸收剂PBSA与DNA相互作用的光谱研究

采用荧光光谱法和紫外光谱法, 在模拟生理条件下(pH＝7.23)对紫外线吸收剂2-苯基苯并咪唑-5-磺酸(PBSA)与脱氧核糖核酸(DNA)的相互作用进行了研究.结果表明PBSA能够与DNA相结合形成复合物,引起了PBSA紫外吸收的降低和荧光的猝灭;PBSA与DNA的相互作用为静态猝灭过程,两者间的结合位点数为1.11.     

三维红外天空背景的建模与仿真

本文研究的是三维红外天空背景的建模与仿真。根据天空长波辐射的角度分布模型和红外动态天空场景的生成方法,将辐射度与天顶角的映射函数关系得出来,再通过编程将这组对应关系储存为DDS纹理。然后通过3dmax建模工具建立一个天空穹的半球模型,通过GPU（图形处理器）的并行处理对这个红外生成的纹理进行采样,从而模拟出以天空为背景的红外辐射效应。在此只研究将晴朗天空的数据化得到的灰度图进行灰度拉伸,最后通过OGRE（面向对象的图形控渲染引擎）渲染,实现三维天空背景的红外仿真,并根据经验常数的不同实现不同条件下的结果。     

密度泛函理论研究冠醚与K 配位的定量构效关系

用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-31G(d)水平上对冠醚分子进行几何优化和计算,得到四极矩Qii,偶极矩μ,熵S,总能量ET四个量子化学参效,用来预测开链冠醚和15-冠-5衍生物与碱金属K 配位的稳定常效,用线性回归方法建立了这些参数与冠醚/K 配位稳定常数的结构-性能定量关系(QSPR)模型,此模型的相关系数R为0.924 4,标准误差s为0.257 5.结果表明,用这些量子化学参数所建立的冠醚QSPR模型具有可靠的预测能力.     

二维系统的分岔行为及混沌控制

研究了具有一次耦合项的二维Logistic映射混沌行为.利用系统的相图和分岔图分析系统的混沌形成过程,通过最大Lyapunov指数及Feigenbaum常数分析系统的非线性动态行为.利用OGY控制方法实现系统混沌的控制,将系统的混沌行为控制到周期轨道.     

大气压氩气介质阻挡放电光谱

采用单色仪测量了大气压氩气介质阻挡放电(DBD)中的激发光谱,实验在300～800 nm的范围内测量了大气压氩气DBD的发射光谱,经分析发现,氩的发射谱线集中在690～800nm的范围内,且全部为氩原子的谱线.研究了这些谱线的强度随外加电压的变化,本工作的结果对大气压介质阻挡放电具有较重要参考价值.     

添加不同比例玉米生物炭的堆肥腐殖质光谱学表征

对于当今污泥量剧增的趋势，添加生物炭的污泥堆肥是处理污泥较好的办法。本文基于理化性质和光谱学表征来研究添加不同比例玉米生物炭的堆肥腐殖质，结果发现生物炭能延长堆肥高温期1-2天；pH、电导率（electrical conductivity，EC）、有机质含量（organic matter content，OM）等指标均表明四组堆肥效果得到提升且实验组数值优于对照组。在紫外-可见光谱和傅里叶红外光谱可以看出S2、S3组有更多的类腐殖质物质生成，芳香族化合物增多，腐殖化程度提高，说明添加10%和15%玉米生物炭有更好的堆肥效果。在三维荧光光谱分析中，经堆肥后四个处理组可溶性微生物副产品逐渐转化为类腐殖质，且添加生物炭能促进其转移效果，有更高的荧光峰值。从胡敏酸平行因子分析中可以得到添加生物炭可以使堆肥腐殖质含量增多，但各处理组胡敏酸的各组分含量变化有所差异。     

SeH和Se~2H分子基态(X~2∏)及SeH~-离子基态(X~1∑)的结构与势能函数

根据群论及原子分子反应静力学原理,推导了SeH(Se2H)分子基态(X2∏)与SeH-离子基态(X1∑)的电子态及相应的离解极限.采用量子力学从头算方法,运用二次组态相互作用QCISD(T)和电子相关单双耦合簇CCSD(T)方法及6-311++G(3df,3pd)基组,标准的Mur-rell-Sorbie函数及修正的Murrell-Sorbie+c6函数,对SeH(Se2H)分子基态(X2Π)与SeH-离子基态(X1∑)的平衡结构和谐振频率进行了几何优化计算.由作者导出的相应光谱数据(ωe,ωeχe,Be,eα)与实验光谱数据吻合很好.表明SeH(Se2H)分子基态(X2∏)与SeH-离子基态(X1∑)的势能函数可用修正的Murrell-Sorbie+c6函数予以表示.     

MEVVA注入法合成SiC／Si异质结构的椭偏光谱研究

利用ＭＥＶＶＡ离子源进行离子束合成，制备了Ｃ＾＋离子注入单晶Ｓｉ衬底的样品，并利用椭偏光谱法研究了退火和未退火两种情况。椭偏光谱测量波长范围为４００￣２０００ｎｍ。通过对所测量样品的椭偏光谱数据分析，可得到离子束合成ＳｉＣ／Ｓｉ异质结构的多层膜结构。椭偏光谱法的测量结果证实：退火样品形成了ＳｉＣ埋层，即使进行高温、长时间退火处理，该埋层ＳｉＣ仍难以得到ＳｉＣ体材料的光学常数。